光伏技术、产业及市场介绍

（溅射、蒸发、电沉积等）两大类多种制备方法，其它外层通常采用真空蒸发或 溅射成膜。阻碍其发展的原因是工艺重复性差，高效电池成品率低，材料组分较复杂，缺乏控制薄膜生长的分析仪器。CIS光电池正受到产业界重视，一些知名公司意识到它在未来能源市场中的前景和所处地位，积极扩大开发规模，着手组建中试线及制造厂。

碲化镉光电池

CdTe（碲化镉）也很适合制作薄膜光电池，其理论转换效率达30％，是非常理想的光伏材料。可采用升华法、电沉积、喷涂、丝网印刷等10种较简便的加工技术，在低衬底温度下制造出效率12％以上的CdTe光电池，小面积CdTe光电池的国际先进水平光电转换率为15.8％，一些公司正深入研究与产业化中试，优化薄膜制备工艺，提高组件稳定性，防范Cd对环境污染和操作者的健康危害。

砷化镓光电池

GaAs（砷化镓）光电池大多采用液相外延法或MOCVD技术制备。用GaAs作衬底的光电池效率高 达29.5％（一般在19.5％左右），产品耐高温和辐射，但生产成本高，产量受限，目前主要作空间电源用。以硅片作衬底，用MOCVD技术异质外延方法制造GaAs电池是降低成本很有希望的方法。

其它材料光电池

InP（磷化铟）光电池的抗辐射性能特别好，效率达17?19％，多用于空间方面。采用SiGe单晶衬底，研制出在AM0条件下效率大于20％的GaAs／Si异质结外延光电池，最高效率23.3％。Si／ Ge／GaAs结构的异质外延光电池在不断开发中，控制各层厚度，适当变化结构，可使太阳光中各 种波长的光子能量都得到有效利用，GaAs基多层结构光电池效率已接近40％。

展望

国内自1958年起研究光伏技术，目前正加速发展光伏技术，完善、提高及应用开发a-Si 制备技术，约有30个科研单位和10个生产厂，生产能力超过5.5MW／a。由于受市场及材料问题的困扰，生产成本高，实际产量只有1.5-2MW／a。在2001-2020年，拟实施光伏电源推动计划，发展户用光伏（50W）、小型光伏（10-0KW）、特种光伏系统和联网光伏电站规划，以市场带动技术发展。

人类生活的衣、食、住、行都离不开能源，开发新能源的光伏技术已成为国际上热门课题，每年都有大型国际性会议研讨光伏技术，MW级中、大型光伏电站正在全球建设和发展，10MW级的也已建成投产。展望21世纪，效率高、成本低的薄膜化光电池将占光伏技术的主导地位，附有太阳光发电系统的住宅将会逐渐普及，二十年代有望在空间建造太阳能电站，用微波或激光等电能传输技术将电能送到地面供电。有专家建议在各大洲建立大型光伏发电站，用超导电缆连接成全球性太阳能发电厂超导联网系统，使供电不受昼夜变化影响，迎来一个光伏技术的新时代。